各種エピウェハー|PRODUCT|株式会社同人産業|シリコン・サファイア・SiC・GaNなど半導体材料を加工も含めてご提供します。

PRODUCT

各種エピウェハー/ MOCVD Epi

エピ/EpiとはEpitaxy(エピタキシー)、またはEpitaxial(エピタキシャル)の略として、基板上に薄膜を製造する行程(エピタキシャル成長)、または基板上に成長した薄膜そのものを指すことがある。エピを形成させたウェハーは半導体素子を製造するうえで重要な素材であり、基板上に金属酸化物薄膜を成長させたMOエピや単結晶シリコン薄膜のSOIエピ(Silicon on Insulator)などが製造されている。 弊社では主にMOCVD法によるエピウェハーを主に取り扱っている。

種類

  1. Sapphire production:サファイア基板(PSS基板含む)上にGaN層など薄膜を成長させたエピウェハー
  2. GaAs production:GaAs基板上に各種薄膜を成長させたエピウェハー
  3. InP production:InP基板上に各種薄膜を成長させたエピウェハー

※基板上(Substrate)に成長させる薄膜の仕様はユーザー様より指定していただきます。

Sapphire production

※サイズ:Φ2"、Φ4"、Φ6"、特殊サイズ対応可能
GaN on Sapphire
GaN on SiC
GaN on Silicon
AIN on Sapphire

GaN on Sapphire

Sapphire Substrate
2インチ4インチ
Dimensions Φ50.8 ± 0.1mmΦ100 ± 0.1mm
Thickness 430 ± 20μm650 ± 20μm
Orientation C-plane、0.2° Off ± 0.1°(to m-plane)、0° Off to A-plane
Orientation Flat A-plane ± 0.2°
Orientation Flat Lenth 16 ± 1mm30 ± 1mm
Fornt Side CMP、Ra≦0.2nm
Back Side Lapping(Ra≦1.2μm)
TTV ≦ 5μm
Bow -10 ~ 0μm
Laser Mark Back Side
GaN Film
Type UnDope
GaN Film Thickness 3 ~ 5μm(± 10%)
Crystallinity XRD FWHM(002)≦ 300 arcsec、XRD FWHM(102)≦ 400 arcsec

AIN on Sapphire

Conductivity type Semi-insulating AIN
Substrate Sapphire
Dimensions Φ50.8 ± 0.1mm、Φ100 ± 0.1mm
Thickness 4~5μm(4000~5000nm)
Edge Exclusion Zone < 2mm
Usable area > 90%
Orientation C plane(0001)± 1°
Total Thickness Variation < 15μm
Crystallinity XRD FWHM of(0002) < 350 arcsec、XRD FWHM of(10-12)< 450 arcsec
Surface Roughness Ra < 5nm(10μmx10μm)
Substrate Structure Sapphire(0001)
Substrate Flat (1-100)、16 ± 1mm
Polishing Single side polishied(SSP)、Double-side polishied(DSP) are available upon request

GaAs production

GaAs基板上にLED基礎となる発光層をエピタキシャル成長した、高付加価値基板です。ウェハ面内で高輝度かつ高均一な発光特性がと特徴です。可視LED(赤~黄緑色)、赤外センサーLED、VCSEL用エピウェハーとして、またプリンターヘッド用の赤色LED用エピウェハーとして、幅広い分野で使用されています。

※サイズ:Φ2"、Φ4"、Φ6"

GaAs production Wavelength(nm)
570 590 605 620 630 660 690 730 760 780 810 830 850 890 940 970 1020
AS(AuBe) - -
AS(ITO) - -
Wafer bond
(PNシリーズ)
-
Glue bond
(AXシリーズ)
- - -
VCSEL - -
Led Printer Head - - -
Point source LED - - -
Photodetector - -

InP production

※サイズ:Φ2"、Φ4"、Φ6"

InP production Wavelength(nm)
1070 1200 1310 1450 1550 1650
LED
FP LD - -
InGaAs PIN - -
InGaAs APD - -

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